NTUD3171PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
18
16
14
C iss
1000
t d(off)
12
100
t f
10
8
6
C oss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
4
2
0
0
C rss
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
1
V DD = 10 V
I D = 200 mA
V GS = 4.5 V
10
100
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
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4
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